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2- Finali HEXFET in corto Amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
Inviato: lun 7 giu 2021, 11:09
da Manlio G.
Questo è il progetto all’amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
https://archive.org/details/Elektuur361 ... 9/mode/2up inizia a pagina 10 (ma non so se corrisponde anche da voi)
La rivista alla quale mi riferisco io era in italiano purtroppo su internet ho trovato questa ma sicuramente ne trovero’ altre e le postero’.
Iniziero’ questa parte dopo aver risolto la parte del rele’ che non si attacca con il dovuto ritardo.
Il problema che ho avuto in passato mi saltano i finali con le conseguenze del caso, vi aggiorno dopo.
Buona visione.
Re: 2- Amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
Inviato: lun 7 giu 2021, 13:23
da pgv
Re: 2- Amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
Inviato: lun 7 giu 2021, 21:35
da Manlio G.
Ottimo devo trovare solo la versione in italiano
Re: 2- Amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
Inviato: mar 8 giu 2021, 9:43
da pgv
L'inglese lo leggo meglio dell'olandese (non scherzo, ho avuto colleghi olandesi che, quando volevano veramente capirsi in materia di lavoro, passavano all'inglese pure loro). La parte che copre il darlington e la circuiteria circostante (pagina 10) legge piu' o meno cosi':
La tensione di alimentazione per il rele' e' derivata direttamente dal trasformatore di alimentazione tramite i diodi D3 e D4. Cio' offre il vantaggio che il rele' e' diseccitato, in virtu' del basso valore di C13, non appena la tensione di alimentazione viene a mancare. Il ritardo nell'eccitazione del rele' e' fornito dal transistor T14 in congiunzione con R36 e C14. Occorrono alcuni secondi affinche' la tensione su C14 raggiunga un valore sufficiente a far passare in conduzione T14. Questo transistor darlington ha bisogno di una tensione di Base non inferiore a 1.2 V per poter condurre.
Se servono traduzioni di altre parti del testo, resto a disposizione (nel tempo libero durante le compilazioni lunghe...).
Re: 2- Amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
Inviato: mar 8 giu 2021, 11:08
da sandrelli
- Immagine.png (62.34 KiB) Visto 2274 volte
PROBABILMENTE I FUSE VANNO SPOSTATI, VANNO AGGIUNTE DELLE R DA MIN.0,22/2w, IL DARLINGTON PIU' REPERIBILE E' IL BC517, I HEXFET'S VANNO PROTETTI SU GS CON ZENER DA 6,2V 1/2W
Re: 2- Amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
Inviato: mar 8 giu 2021, 12:34
da pgv
Traduco un altro brano del testo che accompagna lo schema (pagina 9):
Dei fusibili sono stati collocati sulle linee di Source degli HEXFET (*). I FET di potenza hanno una limitazione di corrente intrinseca in virtu' del loro coefficiente termico positivo: quando il dispositivo si riscalda, la sua resistenza Drain-Source aumenta e questo riduce la corrente che lo attraversa. I fusibili e questa loro proprieta' provvedono una protezione adeguata contro cortocircuiti di breve durata. Da notare che gli HEXFET utilizzati sono in grado di condurre correnti di picco fino a 75 A. I condensatori elettrolitici C11 e C12 (10,000 microFarad, ossia 10 milliFarad ciascuno, fanno parte dell'alimentazione) sono collocati in prossimita' dei FET, di modo che le elevate correnti abbiano un percorso breve da seguire.
Non so perche' vorresti spostare i fusibili e aggiungere resistenze di protezione, apparentemente i FET sono coperti. Oppure hai paura che T10 o T11 possano "evaporare" e lasciare i gate direttamente sulle alimentazioni?? Io comunque di amplificatori audio mi intendo piuttosto poco...
(*) Da notare che T12 si presenta "capovolto", con Source in alto e Drain in basso, rispetto alla configurazione abituale. Attenzione nel montaggio!
Re: 2- Amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
Inviato: mar 8 giu 2021, 14:04
da sandrelli
pgv ha scritto: ↑mar 8 giu 2021, 12:34
I FET di potenza hanno una limitazione di corrente intrinseca in virtu' del loro coefficiente termico positivo: quando il dispositivo si riscalda, la sua resistenza Drain-Source aumenta e questo riduce la corrente che lo attraversa.
Non so perche' vorresti spostare i fusibili e aggiungere resistenze di protezione, apparentemente i FET sono coperti.
NO! Gli HEXFET's si comportano termicamente +o- come i bjt...se non li stabilizzi vanno in valanga termica! (e le R da 0,22 aiuterebbero la stabilità)
I picchi fino a 75A se li sognano quei due piccoli rospi...
I zener poi proteggerebbero la giunzione gs degli hexfet's e toserebbero le semionde se si supera una certa corrente su bassi carichi(casse < 4 ohm)
Re: 2- Amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
Inviato: mar 8 giu 2021, 14:35
da pgv
Io l'ho detto che sono ignorante in materia...
Pero' se guardo il datasheet della Vishay per l'IRF9540:
https://www.vishay.com/docs/91078/91078.pdf
a pagina 3, figura 4, trovo che in effetti la resistenza interna raddoppia andando da 20 C a 160 C, in linea con quanto scritto nell'articolo di Elektor.
Sempre dalla Vishay, per l'IRF540:
https://www.vishay.com/docs/91021/91021.pdf
a pagina 3, figura 4, si vede che la resistenza interna raddoppia andando da 20 C a 15 C (scarsi). Mi sembrerebbe di poter affermare che la corrente che passa in un MOSFET diminuisce, anziche' aumentare, all'aumentare della temperatura. Contrariamente a quanto avviene per i BJT, se non erro.
Re: 2- Amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
Inviato: mer 9 giu 2021, 17:50
da sandrelli
Re: 2- Amplificatore a HEXFET di Progetto Elektor n.8 1994
Inviato: gio 10 giu 2021, 13:45
da Manlio G.
Ritornando ai fatti, ho smontato T12 e T13 in quanto in corto,
La R24 e la R27 si sono un po scurite ma al tester sembrano ancora buone (magari poi le sostituisco pure)
Ora siccome ho un’altra piastra che funziona senza nessuna modifica e questa per un piccolo tempo aveva funzionato (ricordo vago).
Vorrei capire come proseguire, la mia idea era questa:
Invece di alimentare con il suo alimentatore lo vorrei alimentare con 2 alimentatori regolabili in tensione e corrente e (senza attivare la zona del rele’) con corrente limitata e senza T12 e T13 e fare qualche misura. Ma in realtà non sono molto esperto datemi qualche dritta voi. Grazie
