Pier Aisa Electronic Enthusiasts Community Forum

Ciao a seguito del video riparazione dell'amplificatore in oggetto, di cui allego i link qui di seguito

Parte 1: https://www.youtube.com/watch?v=6m5zD5JZ_K4&t=0s
Parte 2: https://www.youtube.com/watch?v=LPDpjSMnssY

Nei commenti è nato l'interesse per le migliorie suggerite da qualche sperimentatore. Con questo post vorrei sviluppare il discorso cercando di dare delle indicazioni precise sui componenti da selezionare e le modifiche circuitali da mettere in pista.

Parto dal commento generico che avevo messo in evidenza:

Pier Aisa
• 2 mesi fa
BUONA EPIFANIA ! Il mio regalo personale, è avere fatto le corse per pubblicare il video oggi, in anticipo rispetto a domenica come inizialmente previsto. Auguri a tutti voi e alle vostre famiglie !!
Riporto di seguito qualche notevole consiglio di Area51 che ha già fatto diverse modifiche migliorative
"Un'altra modifica interessante per quanto riguarda la stabilità dell’offset in uscita è quella di accoppiare in Ac il nodo di reazione, inserendo un elettrolitico (tipo OsCon o Polimerico) tra R10 e Gnd. In questo modo porti ad 1 il guadagno in DC dell’ampli … Poi ci sarebbe da implementare un moltiplicatore di Vbe al posto del trimmer R14 … migliora (di molto) la stabilità del Bias a livello termico ottenendo una costanza di prestazioni (riguardo la distorsione di incrocio) al variare della temperatura dei dissipatori rispetto al progetto originale, molto deficitario … Dulcis in fundo … un bel moltiplicatore di capacità tra l’alimentazione dei finali e la sezione di ingresso … perdi circa 2 Vpp di dinamica in uscita, ma riduci drasticamente il rumore. Anche il circuito di protezione l’ho modificato … il relè, se non ricordo male, lavora al contrario … utilizza il contatto NC in uscita. In questo modo, all’accensione, per un breve istante, il carico è collegato all’uscita … prima che il relè si ecciti (per scollegare il carico)
passa del tempo …"

1- quelli sono HEXFET a coefficente di temperatura POSITIVO (come i bjt)
2-lo schema ricalca la AN dei famosi finali MOSFET HITACHI a coeff. di temp. NEGATIVO
3-se quindi si volesse stabilità termica e offset incondizionato bisognerebbe usare quei MOSFET HITACHI
4-quegli HEXFET sono tirati per il collo alla tensione di+-55V
5-andrebbero cambiati con il tipo che tiene la 200Vds che è in package più grande
6-si potrebbe scaricare automaticamente i grossi elettrolitici connettendo in parallelo a ciascuno una R <=15K/2W

Ciao Pier,

ti riporto quanto ci siamo detti tempo fa in PM :

" ... il vero problema è proprio la Vdss max dei MosFet originali (Vdss = 100V) che, in certe condizioni di lavoro
dello schema originale, viene superata abbondantemente quando alimentato a +/- 55V Dc.

Considerando il nodo di uscita ed il MosFet N, durante la semionda negativa (ad alto livello del segnale di uscita), la tensione tra Drain
e Source può superare i 100V.
Il Mosfet N è “interdetto” mentre il P conduce e porta il nodo di uscita ad una tensione di picco che può arrivare a teorici -55V.
In questo modo la Vds del MosFet N oltrepassa la Vdss max …

Vanno dimensionati con una Vdss = [(Vrail * 2) + 15%], per stare tranquilli … gli IRF240/9240 che uso
da anni negli ampli a Mosfet fino a +/- 60V di rail, sono perfetti allo scopo.

Per quando riguarda gli zener per limitare la Vgs dei MosFet, non li uso mai, i loro effetti capacitivi che hanno sulle prestazioni sono
peggiori di quanto possano proteggere i “finali”.
Tieni presente che questi MosFet hanno già una grande capacità di gate, oltretutto divers tra MosFet N e P che, per quanto dicano, non
sono mai veramente complementari come per certi Bjt …

Un'altra modifica interessante per quanto riguarda la stabilità dell’offset in uscita è quella di accoppiare in Ac il nodo di reazione, inserendo
un elettrolitico (tipo OsCon o Polimerico da 220uF - 10/16V ) tra R10 e Gnd.
In questo modo porti ad 1 il guadagno in DC dell’ampli …

Poi ci sarebbe da implementare un moltiplicatore di Vbe al posto del trimmer R14 … migliora (di molto) la stabilità del Bias a livello termico
ottenendo una costanza di prestazioni (riguardo la distorsione di incrocio) al variare della temperatura dei dissipatori rispetto al progetto
originale, molto deficitario …

Dulcis in fundo … un bel moltiplicatore di capacità tra l’alimentazione dei finali e la sezione di ingresso … perdi circa 2 Vpp di dinamica in uscita,
ma riduci drasticamente il rumore.

Anche la separazione dei percorsi di massa tra quelli di segnale "SG" e quelli potenza "PG" (da riunire poi al centro stella dell'ampli), migliora di molto il rumore.

Anche il circuito di protezione l’ho modificato … il relè, se non ricordo male, lavora al contrario … utilizza il contatto NC in uscita.
In questo modo, all’accensione, per un breve istante, il carico è collegato all’uscita … prima che il relè si ecciti (per scollegare il carico)
passa del tempo …
La parte iniziale del “bump” riesce a passare … sappimi dire se non sto delirando, vado a memoria, sono passati secoli.

Purtroppo non trovo più la documentazione seria delle modifiche, ho solo delle foto e degli appunti segnati sullo schema; te li allego.

I moltiplicatori di capacità sono montati sul lato saldature e non si vedono nelle foto."

Vedo se riesco ad inserire delle foto del moltiplicatore di Vbe e gli appunti :





Qui i pochi appunti rimasti : https://www.dropbox.com/s/vd9abjkqn9g4n ... 0.pdf?dl=0

Se posso, a memoria, essere utile ... fammi sapere.

Ciao a tutti, Andrea

Grazie a tutti voi per il vostro contributo ! Ora attendiamo qualcuno che si cimenti nelle modifiche per avere anche dati dal campo ... la mia versione la ho restituita al proprietario ...

Intanto ringrazio gli utenti per i suggerimenti di modifiche descritti sopra.
Sono uno di coloro che ha costruito questi moduli amplificatore, per sostituire gli LX139 che ritenevo un po' superati.
Siccome li alimentavo a +/- 40V (la tensione degli LX139) avevo scritto al supporto di Nuova Elettronica perchè non riuscivo a polarizzare i finali e non riuscivo a correggere l'offset in uscita: mentre per l'offset mi consigliarono di ridurre la R4 da 6.8Kohm a 4.7, per il bias mi dissero che dovevo aver commesso qualche errore di montaggio e dovetti arrangiarmi cambiando R14 da 2000 a 5000 ohm, riuscendo ad eliminare la distorsione d'incrocio.
A quel punto segnalai al Sig. Vecchi che comunque mi sembrava strano che l'assorbimento a riposo fosse "ballerino" (l'LX139 è stabilissimo) e la risposta fu: "Lo si deve alla tecnologia scelta per l' amplificatore... in genere negli amplificatori a mosfet è abbastanza normale."

Eravamo a giugno 2010...

Dopo qualche tempo l'amplificatore bruciò i finali e rimontai i 139 che avevo messo da parte e che ancora adesso funziona, anche se il suono del 1650 era più "dinamico".
Ci sarebbe modo di avere un disegno con i valori delle resistenze per implementare il VBE multiplier sull'LX1650?
Nelle modifiche suggerite da Area51 è l'unica parte mancante, purtroppo.

Ciao,

devo smontare l'ampli per fare retro-ingegneria sul Vbe Multiplier ... appena riesco, pubblico lo schema.

Andrea

Grazie mille, gentilissimo.

per controllare il bias uso questo tipo di ntc con in parallelo una R di valore adeguato (in modo da non sovracompensare troppo)

Dalla foto, sulla millefori, vedo un BD135, una 1K una 15K e il trimmer da..?
Per il momento ho ordinato gli IRFP240-9240, poi cercherò di far funzionare l'amplificatore introducendo una modifica alla volta.

Ciao,

scusate il ritardo ma trovare il tempo per smontare l'ampli e retro-ingegnerizzare le modifiche non è semplice.

Ecco lo scherma del Vbe Multiplier :





In pratica il tutto va sostituito al trimmer originale R14, collegando lo schedino alle piazzuole già presenti sullo stampato che corrispondono agli "estremi" di R14.
Assicuratevi di regolare il trimmer da 500 Ohm per il suo minimo valore prima di accendere l'ampli dopo la modifica; poi, lentamente, va regolato per avere (con gli IRF240/9240) circa 120 mA (per Mosfet) di corrente di riposo (circa 26mV su R21/22/23/24).
In totale, ogni canale deve assorbire 240 mA a riposo.

A seguire, per via sperimentale, il BD135 va allontanato (o avvicinato) dal dissipatore principale a seconda del tasso di sovra o sotto-compensazione termica del Bias che il Moltiplicatore di Vbe introduce dopo un "burn-in".
Se sovra-compensa, va allontanato, al contrario, avvicinato ... fino a trovare il miglior compromesso.

E' un pò una rottura di zebedei, ma ne vale la pena.

A breve vi pubblico anche le foto delle altre modifiche (Disaccopiamento AC retroazione, Moltiplicatori di capacità sull'alimentazione degli stadi di ingresso, separazione delle masse di potenza da quelle di segnale e modifica generatore di corrente del differenziale di ingresso).

Ciao, Andrea