Pier Aisa Electronic Enthusiasts Community Forum

Causa crisi del chip, trovandomi nell'impossibilita di reperire i
componenti in tempi brevi, ho trovato un distributore/produttore asiatico che promette di averli.

A tale scopo, mi sono preparato un circuito per pilotare i gate, con una bassa impedenza d'uscita che accende l'igbt per 50uSec a una frequrnza di 1khz

Ciao Max,

considerata la spesa da affrontare per quei componenti, forse verrebbe la pena dotarti di questo:

 
nel datasheet (DCA75) citano anche gli IGBT.

Collegato al pc (via USB) ti fornisce varie curve.

Si lo conosco, il guaio è che nel negozzio dove lo vendono, attualmente è esaurito.
Le curve sono effettivamente utili, ma il problema è che queste vengono tracciate per valori di tensione e corrente raggiungibili dallo strumento, molto lontane dalle condizioni di lavoro.
Ciò che temo, è la differenza sulle capacità parassite.

Maxvarese ha scritto: ↑sab 1 apr 2023, 16:27 Si lo conosco, il guaio è che nel negozzio dove lo vendono, attualmente è esaurito.

Se clicchi sulla foto si apre il link del negozio in cui ho comprato il mio e che ne ha disponibili 6 (e ad un prezzo che mi sembra concorrenziale rispetto ad altri):
Brand: Peak Electronic Design
Product Code: DCA75
MPN: DCA75
EAN: 0700621853459
Units in stock: 6
Price NET: 159,00€
Price VAT included: 193,98€

Ho trovato questo che in teoria integra tutto il necessario per la prova che ho in mente.
https://www.amazon.it/Oscilloscopio-Tra ... 166&sr=8-2#
Ma in realtà non è utilizzabile viste le scarse prestazioni dell'oscilloscopio integrato.

Ho provato ad accendere gli igbt con un impulso della dutura di 50 uSec alla frequenza di circa 1Khz
Linea gialla Ch1 tensione sul Gate G E.
Linea blu Ch2 tensione tra E e C.
Corrente di collettore soli 120 mA.
Da questa prima rudimentale prova, l'igbt nuovo sembra avere una risposta migliore dell'originale.

A

C'è però una cosa che non mi piace, in occasione dell'accensione del gate la tensione Vce si eleva per circa 0,8 uSec di quasi 1 Volt.
Non vorrei che questo fenomeno sia causato da una capacità parassita tra G e C superiore a quello originale.
Propri quella che potrebbe causare riaccensioni indesiderate.
Mummm

Non trovando i buffer, ho costruito un circuito driver con un BJT a elevato FT.
Sono riuscito a portare l'impedenza del circuito di pilotaggio a circa 40 Ohm abbassando il tempo di carica del gate da
4,5 uSec a 700 nSec.
Con queste ulteriori e più precise misure nel mio laboratorio privato, ho potuto stimare che l'igbt "equivalente l'originale" sembra avere una capacità parassita tra C e G di circa 500 pF superiore all'originale , spero di essermi sbagliato.
Infatti nella prova prudente con carico induttivo senza snubber, tenendo d'occhio la tensione GE noto un picco di 1 Volt dopo lo spegnimento..( ho tanta paura ) a 5 Volt si riaccende, e buum.
In giallo la tensione tra CE.
In blu la tensione GE.
(Prova con carico resistivo, con una modesta corrente.)
L'aumento della tensione al collettore prima dell'accensione è dovuto alla capacità parassita tra G e C.